激光剥离原理

　　紫外激光剥离的基本原理是利用外延层材料与蓝宝石材料对于紫外激光具有不同的吸收效率。蓝宝石具有较高的带隙能量（9.9 eV），所以蓝宝石对于248nm的氟化氪（KrF）准分子激光（5 eV辐射能量）是透明的，而氮化镓（约3.3 eV的带隙能量）则会强烈吸收248nm激光的能量。正如图3所示，激光穿过蓝宝石到达氮化镓缓冲层，在氮化镓与蓝宝石的接触面进行激光剥离。这将产生一个局部的爆炸冲击波，使得在该处的氮化镓与蓝宝石分离。基于同样的原理，193nm的氟化氩（ArF）准分子激光可以用于分离氮化铝（AlN）与蓝宝石。具有6.3 eV带隙能量的氮化铝可以吸收6.4 eV的ArF激光辐射，而9.9 eV带隙能量的蓝宝石对于ArF准分子激光则是透明的。

　　图3、248nm激光剥离示意图

　　光束均匀性和晶圆制备对于实现成功剥离都很重要。设计人员采用创新的光束均匀化专利技术使得准分子激光束在晶圆上可以产生最大面积达5 × 5毫米的均匀能量密度分布的平顶光束。

　　正确的晶圆制备是LLO成功的关键。需要最大限度地减少在蓝宝石上高温外延层生长过程中产生的残余应力，还要保证外延层和衬底进行充分键合，以避免在剥离过程中外延片破裂。图4展示了一个典型的剥离效果。

　　图4、248nm激光脉冲对蓝宝石上的氮化镓进行激光剥离（一个脉冲激光光斑一次覆盖9个芯片）

　　LLO系统可以在室温环境下进行高速、高产量的加工。精心设计的系统允许单发脉冲光斑同时覆盖多个芯片，并采用“飞行射击”革新技术使得每一发脉冲光斑都能与晶圆芯片定位精确对准。

　　蓝光LED晶圆激光划片

　　传统的制造商仍在继续供应横向结构的蓝光LED，激光划片是加工这种结构的晶圆的理想选择。蓝宝石的极高硬度给锯片切割与金刚石划片带来芯片成品率低、产量低和成本高等诸多问题。

　　与传统的钻石划片方式相比，紫外（UV）二极管泵浦固体（DPSS）激光划片方式的芯片成品率和晶圆产量大幅增加，并且LED晶圆的亮度没有明显损耗。短波长激光在氮化镓和蓝宝石层的吸收率都增加了，这样可以降低划片所需的辐射光功率，同时减小了切口宽度。

　　划片宽度、速度和加工产量是保持低加工成本与晶圆高产量的主要参数。国外已开发出一种专利的光束传输系统，该系统可以获得很狭窄的2.5微米切口宽度（图5），并提供特有的表面保护液以尽量减少碎片。在聚焦的激光束下方移动晶圆进行一次非常狭窄的V形切割，从外延面开始扩展到蓝宝石层，通常划片深度为20到30微米。激光划片之后，用标准的裂片机在V形激光切缝处集中应力进行裂片加工。

　　                                           图5、氮化镓-蓝宝石晶圆激光划片的切口宽度2.5微米