III-V族半导体晶圆划片

　　使用紫外DPSS激光器还可以将砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）晶圆的易碎化合物半导体材料进行分离，可以进行快速精确、整齐清洁的划片，切口宽度约3微米，对III-V材料无崩边（图8）。通常情况下，250微米厚的晶圆划片速度在300mm/s，并且适合裂片（图9）。III - V族晶片价格较贵，所以晶圆基板不能浪费。紫外激光划片越紧凑、越清洁、切口越窄，每片晶圆的芯片数就越多，与传统锯片切割法相比损坏的芯片数更少，成品率就越高。

 图8、砷化镓晶片划片后的边缘清洁并且清晰

　　图9、磷化镓晶圆划片速度300 mm/s，划片深度30 μm，深度足够使250 μm厚的晶圆裂片

　　2、日研究团队用半导体硅片研发出微型节能激光

　　近日，日本大阪府立大学和京都大学的研究团队发表研究成果称，使用通常几乎不发光的半导体材料硅，研发出了超小型节能新型激光。

　　据称，若能使用这种激光技术把目前的电路改成光路，就有可能研发出超高速节能的超级计算机。

　　研究团队在极薄的硅板上有规则地打上直径为数百纳米的小孔，将其制成可让光线留在内部的硅片。受到外部光线照射后，硅片可将内部产生的微弱光线留住。研究团队通过改变孔的大小和排列，增强了留在硅片内部的光线，最终成功提取出了激光。

　　硅片的四边小于1毫米，与以往使用硅片的激光相比，大小和能耗降至万分之一以下。

　　大阪府立大学讲师高桥和说：“这次使用的是外部照射的光线。如果能通过电流使硅片自身发光后利用该光线提取激光，那么用途将变得更广。”

　　3、激光把半导体材料“敲成”纳米大小

　　四年前实验室人员的一次“失误”，带来了在国际上具有突破性影响的新发现。四年来，天津大学科研人员不断进行科研攻关并“开花结果”。近日，天津大学材料学院量子点材料与器件研究组开发出环保高效的单分散量子点合成新工艺。

　　四年前，杜教授实验室的一个学生做用激光将金属靶打碎成纳米级别的金属粒实验时，一般只需要用激光照射金属靶3分钟左右。但学生中途离开，任激光照射金属靶4个多小时。回来后发现，金属靶被打成了尺寸都为几纳米左右的金属粒子，这样的结果比以前要理想多了。这一阴差阳错导致的意外，反而引起了杜教授实验团队的浓厚兴趣。他们转而把这一“奇怪”现象作为一项研究重点，探索如何利用激光把半导体材料“敲成”纳米大小的均匀颗粒。

　　最终历时四年，在这一领域探索出了合成单分散量子点的物理方法。利用激光这把“锤子”，杜教授可以根据实际需要“变化”力度，精确控制半导体材料的具体大小。相比湿化学获取量子点，这种世界首创的方法耗时短，一次仅需20多分钟，另外环保无污染，且获得的量子点大小更均匀，表面没有化学药物，非常干净。杜教授说，预计未来这一清洁技术可以帮助获得更加廉价的量子点，使其在疾病诊断、水污染检测、光电转换等领域发挥更加显著的作用。该成果一经发表便引起了业界关注，已有单位与学校寻求合作，希望能将该技术产业化。